产品
MemSilicon 1T4R 1Gb RRAM芯片
国际首款高密度大容量1T4R结构1Gb阻变存储器芯片，兼容CMOS标准工艺
档案回溯至 2026-10 · 收录于 2026-10-14热度 1.0
chipmemory
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事件时间线
- 2026-10-14 🏁 里程碑MemSilicon完成国际首款1T4R 1Gb RRAM芯片流片
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- 2026-10-14 MemSilicon完成国际首款高密度、大容量1T4R 1Gb RRAM芯片流片
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